FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 320mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（） 1.6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（） 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs（） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（） 24.5 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（） 300mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
