靜電是如何擊穿MOS管的?
其實MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。, 靜電擊穿有兩種方式: 一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路; 二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。 現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大,感應(yīng)不出高壓。若是碰上3DO型