晶圓級封裝技術(shù)
晶圓級封裝工藝包括金屬化、光刻、電介質(zhì)淀積和厚膜光刻膠旋涂、焊料淀積和回流焊接。圖形化工藝通常涉及到用幾層金屬制作用于凸點(diǎn)基礎(chǔ)的凸點(diǎn)下金屬層(UBM)。凸點(diǎn)和晶圓連接的導(dǎo)電性要很好,鈍化層和凸點(diǎn)下金屬層需要有很好的附著性。光刻膠圖形化的標(biāo)準(zhǔn)工藝流程包括清洗、涂,1引言傳統(tǒng)上,IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I/O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實(shí)現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴(kuò)大,I/O的間距不