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KB837	文件：219.85 Kbytes Page：9 Pages	PHOTOCOUPLER	Kingbright Kingbright Company LLC	Kingbright
KB837-B	文件：222.94 Kbytes Page：8 Pages	GENERALPURPOSEHIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEPHOTOCOUPLERSERIES DESCRIPTION 1.TheKB837-B(3-channel)isopticallycoupledisolatorscontainingaGaASlightemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistor. 2.Theleadpitchis2.54mm. 3.Solidinsulationthicknessbetweenemittingdiodeandoutputphototransistor:>=0.6mm. FEATURES 1.Leadforming(gull	Kingbright Kingbright Company LLC	Kingbright
KRC837E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KRC837U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
LM837	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM837M	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM837M	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM837M/NOPB	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM837MX	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM837MX/NOPB	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM837N	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LT837HT	文件：174.67 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT837HTisa1-FormAsolidstaterelayina6pinDIPpackagethatemploys opticallycoupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutput isolation.TheopticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfrared LEDandMOSFETsontheoutputsi	LETEXLETEX technology corp 臺(tái)灣麗太麗太科技股份有限公司	LETEX
MAX837	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors GeneralDescription TheMAX836/MAX837micropowervoltagemonitorscontaina1.204VprecisionbandgapreferenceandacomparatorinaSOT143package.TheMAX836hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whiletheMAX837hasapush-pulloutputdriver.Twoexternalresistorssetthetripthreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX837EUS	文件：91.31 Kbytes Page：8 Pages	PLASTICENCAPSULATEDDEVICES	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX837EUS-T	文件：106.73 Kbytes Page：7 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX837EUS-T	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors GeneralDescription TheMAX836/MAX837micropowervoltagemonitorscontaina1.204VprecisionbandgapreferenceandacomparatorinaSOT143package.TheMAX836hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whiletheMAX837hasapush-pulloutputdriver.Twoexternalresistorssetthetripthreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MC837	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MRF837	文件：25.44 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFLOWPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF837isDesignedprimerilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. FEATURESINCLUDE: ?Mingain8.0dB@750mW/870MHz ?SiliconNitridepassivated ?LowcostPlasticPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MUR837	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Singlerectifierconstruction ?Highsurgecapability ?Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
MUR837	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG

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深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	INL837GN	MICRO	23+	SOP	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	INL837GN	MICRO	2020+	SOP16	354	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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更多INL837GN供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:30:00

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