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IRF7306	文件：113.68 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7306PBF	文件：231.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7306QPBF	文件：249.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRF International Rectifier	IRF
IRF7306QTRPBF	文件：1.19365 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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IRF7306TRPBF	文件：1.19358 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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