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IPAN60R180P7S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IPAN60R180P7S
廠商型號

IPAN60R180P7S

參數(shù)屬性

IPAN60R180P7S 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET 600V TO220 FULL PACK

功能描述

MOSFET 600V CoolMOS? P7 Power Transistor
MOSFET 600V TO220 FULL PACK

絲印標識

60S180P7

封裝外殼

PG-TO220 / TO-220-3 整包

文件大小

727.5 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 12:41:00

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IPAN60R180P7S規(guī)格書詳情

IPAN60R180P7S屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPAN60R180P7S晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding

commutation ruggedness

? Significant reduction of switching and conduction losses

? Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products

? Better RDS(on)/package products compared to competition enabled by a

low RDS(on)*A (below 1Ohm*mm2)

? Product validation acc. JEDEC Standard

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPAN60R180P7SXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolMOS?

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    18A(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO220-FP

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET 600V TO220 FULL PACK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO220-3
8000
只做原裝,歡迎詢價,量大價優(yōu)
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO220-3
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO220-3
25000
原裝正品,假一賠十!
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Infineon
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PG-TO220-3
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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Infineon/英飛凌
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英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售
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