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IPAN60R180P7S

Marking：60S180P7；Package：PG-TO220；MOSFET 600V CoolMOS? P7 Power Transistor

Features ?Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding commutationruggedness ?Significantreductionofswitchingandconductionlosses ?ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts ?BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R180P7S

Marking：60S180P7；Package：PG-TO252-3；600V CoolMOS? P7 Power Transistor

MOSFET600VCoolMOSaP7PowerTransistor TheCoolMOS?7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600VCoolMOS?P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS?P

InfineonInfineon Technologies AG

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IPA60R180P7S

Marking：60S180P7；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS? P7 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPAW60R180P7S

Marking：60S180P7；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS? P7 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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更多60S180P7供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 11:00:00

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