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IPB017N10N5AT

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

017N10N5

N-channel,normallevel

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB017N10N5

N-channel,normallevel

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB017N10N5LF

OptiMOSTM5LinearFET,100V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPB017N10N5AT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 14:16:00

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