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IPB036N12N3-G

OptiMOS?? Power-Transistor

Features ?IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetap

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB036N12N3

OptiMOS??Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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IPB036N12N3G

OptiMOS??Power-Transistor

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更多IPB036N12N3-G供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 19:02:00

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