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IPB029N15NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB029N15NM6
廠商型號

IPB029N15NM6

功能描述

OptiMOS? 6 Power?Transistor, 150 V

絲印標識

029N15N6

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

727.11 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-26 20:30:00

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IPB029N15NM6規(guī)格書詳情

Features

? N?channel, normal level

? Very low on?resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100% avalanche tested

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

? MSL 1 classified according to J?STD?020

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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