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IPB065N10N3G中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB065N10N3G
廠商型號(hào)

IPB065N10N3G

功能描述

100 V N-Channel MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

065N10N

封裝外殼

TO-263

文件大小

884.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-28 9:07:00

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IPB065N10N3G規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? VDS=100V

? ID(at VGS=10V)=80A

? RDS(ON) (at VGS=10V) < 6.2mΩ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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