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IPB065N10N3G

100 V N-Channel MOSFET

Features ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=80A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)

IPB065N10N3G

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB065N10N3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
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更多IPB065N10N3G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 20:00:00

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