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IPB072N15N3GE818XT_INFINEON/英飛凌_MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor博通航睿技術
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IPB072N15N3GE818XT
- 功能描述:
MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
天津市博通航睿技術有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
馬總
- 手機:
18322198211
- 詢價:
- 電話:
18322198211
- 地址:
天津市南開區(qū)科研西路12號356室
相近型號
- IPB072N15N3-G
- IPB073N15N5
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