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IPB108N15N3G中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB108N15N3G
廠商型號

IPB108N15N3G

功能描述

Isc N-Channel MOSFET Transistor

絲印標識

D2PAK

封裝外殼

TO-263

文件大小

189.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-24 22:30:00

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IPB108N15N3G規(guī)格書詳情

? FEATURES

? With To-263(D2PAK) package

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

? APPLICATIONS

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB108N15N3G

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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