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IPB108N15N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB108N15N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB108N15N3

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPB108N15N3G

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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更多IPB108N15N3G供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 10:36:00

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