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IPB110N06L

OptiMOS? Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB110N06LG

OptiMOS? Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB110N06L-G

OptiMOS? Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

110N06L

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

HLDG110N06

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

HLDG110N06

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HY110N06T

55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET

55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features ?LowOn-StateResistance ?ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl ?I

HY

HY ELECTRONIC CORP.

IPP110N06L

OptiMOS?Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP110N06LG

OptiMOS?Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP110N06L-G

OptiMOS?Power-Transistor

Features ?Forfastswitchingconvertersandsync.rectification ?N-channelenhancement-logiclevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?Pb-freeleadplating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFK110N06

HiPerFETPowerMOSFETs

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackages ?JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching

IXYS

IXYS Corporation

IXFK110N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TSM110N06

55VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPB110N06L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 78A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon
22+
TO-263
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-263
43000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Infineon
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon
22+
TO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-263
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-263
7000
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-263
90198
詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-263
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
INFINEON
24+
D2PAK(TO-263)
8866
詢價(jià)
更多IPB110N06L供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 14:30:00

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