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IPB133N12NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB133N12NM6
廠商型號(hào)

IPB133N12NM6

功能描述

MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 120 V

絲印標(biāo)識(shí)

133N12N6

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

726.1 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-10 22:34:00

IPB133N12NM6規(guī)格書詳情

Features

? N?channel, normal level

? Very low on?resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? High avalanche energy rating

? 175°C operating temperature

? Optimized for high frequency switching

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

? MSL 1 classified according to J?STD?020

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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