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IPB133N12NM6

Marking：133N12N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 120 V

Features ?N?channel,normallevel ?Verylowon?resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitching ?Pb?freeleadplating;RoHSco

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多133N12N6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 15:03:00

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