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IPB60R190P6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB60R190P6
廠商型號(hào)

IPB60R190P6
功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
絲印標(biāo)識(shí)

6R190P6
封裝外殼

PG-TO263
文件大小

3.10731 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 10:34:00
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IPB60R190P6規(guī)格書(shū)詳情

Description

CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand

pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe

experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.

TheoffereddevicesprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFET

whilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconduction

lossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,

lighterandcooler.

Features

?IncreasedMOSFETdv/dtruggedness

?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

?Veryhighcommutationruggedness

?Easytouse/drive

?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON
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公司渠道現(xiàn)貨
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只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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INFINEON/英飛凌
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原裝現(xiàn)貨 假一罰十
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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