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IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
YFW6N03LI	文件：1.32697 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IPBH6N03LA
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IPBH6N03LAG	INFINEON	2012+	TO-263	12000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IPBH6N03LAG	INFINEON	24+	D2PAK(TO-263)	8866		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IPBH6N03LAG	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IPBH6N03LAG	INFINE0N	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	IPBH6N03LAG	INFINEON	24+	TO-263	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IPBH6N03LAG	Infineon Technologies	21+	PG-TO263-3-2	1000	100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IPBH6N03LAG	INFINEON	2023+	SOT-263	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市澳億芯電子科技有限公司	IPBH6N03LAG	infineon	1709+	to-263/d2	32500	普通	詢價(jià)
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更多IPBH6N03LA供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:03:00

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