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IPD180N10N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD180N10N3

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD180N10N3G

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD180N10N3G_14

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFE180N10

HiPerFET-TMPowerMOSFET

HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?

IXYS

IXYS Corporation

IXFK180N10

SingleMOSFETDie

VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N10

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·SynchronousRectification ·LowVoltagerelays ·BatteryChargers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN180N10

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N10

HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie

HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitan

IXYS

IXYS Corporation

IXFR180N10

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247

VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8m? trr≤250ns SingleMOSFETDie Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPD180N10N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
DPAK
13024
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
 詢價(jià)
INFINEON
16+/17+
TO-252
3500
原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17105
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
1766
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
N/A
5000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
DPAK
23816
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
更多IPD180N10N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 14:02:00

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