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IPD20N03_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 30V 30A DPAK安富世紀(jì)二部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
IPD20N03
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
趙妍
- 手機(jī):
18100277303
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23991454
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17E
相近型號
- IPD2012-760
- IPD200N25N3G
- IPD20N03LGXT
- IPD20N03LNT
- IPD20N03LP
- IPD200N15N3GBTMA1
- IPD200N15N3GATMA1
- IPD20N06
- IPD200N15N3G200N15N
- IPD20N06L
- IPD20N06LA
- IPD200N15N3G
- IPD20N06L-AT005
- IPD200N15N3
- IPD20N06L-AT012
- IPD200N06L
- IPD20N06LAT424
- IPD200N
- IPD20N06L-AT712
- IPD1-L0070
- IPD1-L0024
- IPD20N06S2L-65A
- IPD19DP10NMATMA1
- IPD20N60S5
- IPD19DP10NM
- IPD2131
- IPD19+0N03L
- IPD2132
- IPD18DP10LMATMA1
- IPD2133
- IPD18DP10LM
- IPD2133-22
- IPD21N08S2L
- IPD21N08S2L-50
- IPD220N06L3
- IPD220N06L3G
- IPD180N10N3GXT
- IPD220N06L3G220N06L
- IPD220N06L3GATMA1
- IPD180N10N3GBTMA1
- IPD220N06L3GBTMA1
- IPD180N10N3GATMA1
- IPD180N10N3G
- IPD220N06L3G-VB
- IPD180N10N3
- IPD180N10N
- IPD17N03L
- IPD220N06LS3GBTMA1
- IPD220N15N3G
- IPD22N08S2L