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IPD35N10S3L-26中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD35N10S3L-26
廠商型號

IPD35N10S3L-26

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

絲印標識

3N10L26

封裝外殼

PG-TO252-3-11

文件大小

188.79 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 11:18:00

IPD35N10S3L-26規(guī)格書詳情

Features

? N-channel - Enhancement mode

? Automotive AEC Q101 qualified

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? Green product (RoHS compliant)

? 100 Avalanche tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPD35N10S3L-26

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
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