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IPD35N10S3L-26

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPD35N10S3L-26

Marking:3N10L26;Package:PG-TO252-3-11;OptiMOS-T Power-Transistor

Features ?N-channel-Enhancementmode ?AutomotiveAECQ101qualified ?MSL1upto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?Greenproduct(RoHScompliant) ?100Avalanchetested

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD35N10S3L-26

Material Content Data Sheet

InfineonInfineon Technologies AG

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IPD35N10S3L-26_15

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IPB35N10S3L-26

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OptiMOS??TPower-Transistor

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPD35N10S3L-26

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
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終端可免費提供樣品,歡迎咨詢
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更多IPD35N10S3L-26供應商 更新時間2025-5-15 9:18:00