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IPD600N25N3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Highfrequencyswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤60m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD600N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD600N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD600N25N3G_11

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI600N25N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI600N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI600N25N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI600N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI600N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP600N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPD600N25N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
Infineon
22+
TO252-3
6000
十年配單,只做原裝
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
43000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
Infineon
23+
TO252-3
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
INFINEON優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
16+
TO-252
503
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
Infineon/英飛凌
24+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
2023+
TO-252
10000
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格
 詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-252
11220
英飛凌優(yōu)勢(shì)原裝IC,高效BOM配單。
 詢(xún)價(jià)
Infineon
22+
TO252-3
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
ADI
23+
SO-252
7000
詢(xún)價(jià)
更多IPD600N25N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 10:16:00

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