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IPD60R600E6_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 650V 7.3A貿(mào)澤芯城一部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    IPD60R600E6

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-25 15:42:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：IPD60R600E6品牌：Infineon(英飛凌)

一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào)：

    IPD60R600E6

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    17 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1344.92 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600V CoolMOS E6 Power Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IPD60R600E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7.3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

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