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IPD60R600E6_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 650V 7.3A長旗科技

IPD60R600E6

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  • 廠家型號：

    IPD60R600E6

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫存數(shù)量：

    12398

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-1-13 9:22:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IPD60R600E6品牌：INFINEON

原裝進口、正品保障、合作持久

  • 芯片型號：

    IPD60R600E6

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內容頁數(shù)：

    17 頁

  • 文件大?。?/span>

    1344.92 kb

  • 資料說明：

    600V CoolMOS E6 Power Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    IPD60R600E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7.3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市長旗科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機：

    15817260738

  • 詢價：
  • 電話：

    15817260738

  • 地址：

    福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座1518

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