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IPI041N12N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPI041N12N3G
廠商型號(hào)

IPI041N12N3G

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

038N12N

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

507.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPI041N12N3G

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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