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IPB038N12N3G

Marking：038N12N；Package：PG-TO263-3；N-channel, normal level

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant,halogenfree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI041N12N3G

Marking：038N12N；Package：PG-TO263-3；OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多038N12N供應商 更新時間2025-3-24 16:11:00

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