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IPP022N12NM6

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB022N12NM6

MOSFETOptiMOSTM6Power-Transistor,120V

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InfineonInfineon Technologies AG

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IPP022N12NM6供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-17 11:00:00