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IPB042N10N3G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Ultra-fastbodydiode ?Highspeedswitching ?Verylowon-resistence ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperationz ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB042N10N3G

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB042N10N3G

OptiMOS??Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB042N10N3-G

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPP042N10N3G供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:35:00

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