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IPP054NE8N-G

OptiMOS?? Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 ?C operating temperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP054NE8N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP054NE8N

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP054NE8NG

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP054NE8NG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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OptiMOS??Power-TransistorFeaturesN-channel,normallevel175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

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更多IPP054NE8N G供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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