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IPP069N20NM6

Marking：069N20N6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP069N20NM6

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=136A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多IPP069N20NM6供應(yīng)商 更新時間2025-3-15 11:00:00

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