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IPP069N20NM6

Marking：069N20N6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多069N20N6供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 15:00:00

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