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IPB26CNE8NG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI26CNE8NG

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPP26CNE8N G

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 85V 35A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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INFINEON
2023+
TO-220
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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TO-220
10000
公司只做原裝正品
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Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Infineon Technologies
21+
TO2203
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
Infineon/英飛凌
23+
TO220-3-1
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
更多IPP26CNE8N G供應商 更新時間2025-1-23 9:02:00

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