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IPP60R600E6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPP60R600E6
廠商型號(hào)

IPP60R600E6
功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
文件大小

1.22433 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-13 12:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IPP60R600E6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7.3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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