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ASA65R150E	文件：2.34549 Mbytes Page：11 Pages	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications BoostPFCswitch,single-endedflybackortwo-transistorforward, HalfbridgeorAsymmetrichalfbridgeorSeriesresonancehalfbridgetopologies. PCpower,Adaptor,LCD&PDPTV,LEDLighting,Serverpower, Telecompower,andUPSApplication. Features Lowdrain-sourceon-resis	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
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IPB65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS?MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPI65R150CFD	文件：3.82385 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS?MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細參數(shù)

型號：
IPP65R150CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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