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IPT65R190CFD7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IPT65R190CFD7
廠商型號(hào)

IPT65R190CFD7

參數(shù)屬性

IPT65R190CFD7 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 650V 8HSOF

功能描述

650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device
MOSFET N-CH 650V 8HSOF

封裝外殼

8-PowerSFN

文件大小

1.48589 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-20 20:00:00

IPT65R190CFD7規(guī)格書(shū)詳情

IPT65R190CFD7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPT65R190CFD7晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Ultra-fast body diode

? 650V break down voltage

? Best-in-class RDS(on)

? Reduced switching losses

? Low RDS(on) dependency over temperature

Benefits

? Excellent hard commutation ruggedness

? Extra safety margin for designs with increased bus voltage

? Enabling increased power density solutions

? Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications

? Improved full load efficiency in industrial SMPS applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IPT65R190CFD7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    CoolMOS? CFD7

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類(lèi)型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TOLL

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
23+
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50
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
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