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IPT65R190CFD7分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IPT65R190CFD7
廠商型號

IPT65R190CFD7

參數(shù)屬性

IPT65R190CFD7 封裝/外殼為8-PowerSFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 650V 8HSOF

功能描述

650V CoolMOSa CFD7 SJ Power Device
MOSFET N-CH 650V 8HSOF

絲印標識

65R190F7

封裝外殼

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN

文件大小

1.48589 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 22:59:00

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IPT65R190CFD7規(guī)格書詳情

IPT65R190CFD7屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPT65R190CFD7晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Ultra-fast body diode

? 650V break down voltage

? Best-in-class RDS(on)

? Reduced switching losses

? Low RDS(on) dependency over temperature

Benefits

? Excellent hard commutation ruggedness

? Extra safety margin for designs with increased bus voltage

? Enabling increased power density solutions

? Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications

? Improved full load efficiency in industrial SMPS applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPT65R190CFD7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolMOS? CFD7

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝:

    TOLL

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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