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IPW65R110CFD中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPW65R110CFD
廠商型號(hào)

IPW65R110CFD

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

335.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 9:42:00

IPW65R110CFD規(guī)格書(shū)詳情

? DESCRITION

? Suitable for resonant Switching

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤110m?

? Enhancement mode:

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPW65R110CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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