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IQE030N06NM5CG中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IQE030N06NM5CG
廠商型號(hào)

IQE030N06NM5CG

功能描述

MOSFET OptiMOS? 5 Power-Transistor, 60 V

絲印標(biāo)識(shí)

03006C5

封裝外殼

PG-TTFN-9-1

文件大小

1.86103 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 14:35:00

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IQE030N06NM5CG規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for synchronous rectification

? 100 avalanche tested

? Superior thermal resistance

? N-channel, normal level

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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