IRF1010EZ中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF1010EZ規(guī)格書詳情
Description
This HEXFET?Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF1010EZ
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-263-2 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO-263-2 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-263-2 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
