首頁(yè)>IRF1018ES>芯片詳情

IRF1018ES_IR/國(guó)際整流器_MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC鑫科潤(rùn)電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IRF1018ES

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IR/國(guó)際整流器

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    6660

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO263

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    14+

  • 庫(kù)存類型:

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-15 14:04:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):IRF1018ES品牌:IR

原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,一站式服務(wù),可開(kāi)17%增票18916238831

  • 芯片型號(hào):

    IRF1018ES

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ISC【無(wú)錫固電】詳情

  • 廠商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱:

    無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    2 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    299.96 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Isc N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    IRF1018ES

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    上海鑫科潤(rùn)電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    孫小姐\張小姐\趙先生

  • 手機(jī):

    18521007236

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18521007236

  • 地址:

    上海徐匯區(qū)中山南二路1007號(hào)