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IRFI1310G	文件：361.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.04ohm,Id=22A) VDSS=100V RDS(on)=0.04? ID=22A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：104.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=24A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310N	文件：267 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI1310NPBF	文件：242.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：243.86 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFI1310NPBF	文件：1.91998 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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