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IRF231中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF231
廠商型號

IRF231

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.01 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 18:26:00

IRF231規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fsat switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF231

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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