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IRF240中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF240
廠商型號(hào)

IRF240

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件大小

211.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 8:21:00

IRF240規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low RDs

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low input capactiance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliablitiy

? TO-3 package (Standard)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF240

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN TO-204AE - Bulk

  • 功能描述:

    Single N-Channel 200 V 125 W 60 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-3

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET, 10V, 18A TO-204AE; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    18A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    10V; On Resistance

  • Rds(on):

    180mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    200V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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