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IRF252中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF252
廠商型號

IRF252
功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS
文件大小

137.76 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 16:32:00

IRF252規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Rds(on) ) at high voltage

? Improved Inductive ruggedness

? Excellent high voltage stability

? Fast switching times

? Rugged polysillcon gate cell structure

? Low Input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high temperature reliability

? TO-3 package (High voltage)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF252

  • 制造商：

    SAMSUNG

  • 制造商全稱：

    Samsung semiconductor

  • 功能描述：

    N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
2015+
TO-3(鐵帽)
19889
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IR
24+
TO-3
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IR
23+
TO-3
7000
詢價

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