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IRF3315L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF3315L
廠商型號

IRF3315L

功能描述

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)

文件大小

197.25 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-2 12:00:00

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IRF3315L規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Surface Mount (IRF3315S)

● Low-profile through-hole (IRF3315L)

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF3315L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
IR
2022+
TO262
57550
詢價
IR
23+
TO-262
2000000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
詢價
IR
2447
TO-262
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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IR
23+
TO-262-3
52737
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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IR
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
IR
24+
TO-262-3
14
詢價
IR
23+
TO-262
35890
詢價