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IRF3710SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF3710SPBF
廠商型號(hào)

IRF3710SPBF
功能描述

HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
文件大小

279.47 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-26 15:11:00

IRF3710SPBF規(guī)格書詳情

VDSS = 100V

RDS(on) = 23m?

ID = 57A

Description

Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF3710SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-263
9896
詢價(jià)
IR
22+23+
TO-263
35142
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
22+
D2-pak
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
IR
21+
65230
詢價(jià)
IR
22+
TO-252
21000
原廠原包裝。假一罰十?？砷_13%增值稅發(fā)票。
 詢價(jià)
Infineon
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR原裝
TO-263
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)

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