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IRF3808STRRPBF規(guī)格書詳情
Description
This Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.
Benefits
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Lead-Free
Typical Applications
● Industrial Motor Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3808STRRPBF
- 功能描述：
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
D2PAK |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
TO263 |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
2022+ |
D2PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
2018+ |
TO263 |
6000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2112+ |
D2PAK |
115000 |
800個/卷一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOT263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
