IRF510A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
IRF510A |
功能描述 | Advanced Power MOSFET |
文件大小 |
252.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-23 23:00:00 |
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FEATURES
? Avalanche Rugged Technology
? Rugged Gate Oxide Technology
? Lower Input Capacitance
? Improved Gate Charge
? Extended Safe Operating Area
? 175°C Operating Temperature
? Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS= 100V
? Lower RDS(ON) : 0.289 ?(Typ.)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF510A
- 功能描述:
MOSFET 100V .2 OHM 33W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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